告别消费周期！AI 驱动下存储行业全新发展逻辑解析

本期嘉宾：王芳，中泰证券研究所联席所长、电子行业首席分析师

大家好，欢迎来到《大方谈钱》，这是一档由华夏基金出品的播客栏目。近期存储板块的股价波动牵动着人心， AI 彻底改变了存储的需求底层逻辑，算力刚需替代了消费的波动，产业链利润加速向核心技术高端环节。我们非常荣幸的邀请到了中泰证券研究所联席所长、电子行业首席分析师王芳，来帮我们科普一下，本轮存储板块行情能走多远？哪些赛道具备长期成长的价值，以及未来最大的机遇与风险？

Timeline:

01:10-03:58 存储三大品类 & 需求结构巨变（24→26 年）

1. 存储三大核心品类：DRAM、NAND 合计各占四成市场，NOR Flash 仅 3%-5% 小众利基市场；

2. DRAM 需求变迁

   • 2024：手机 37%+ 笔电 11%，服务器仅 37%；消费电子主导；

   • 2026：含 HBM 服务器需求占比超 53%，成为第一大下游；明年占比继续走高；

3. NAND 需求变迁

   • 2024：手机 33%、笔电 23%、服务器 24%；

   • 2026：服务器需求接近 37%，明年有望突破 40%；

4. 核心变化：AI 推理时代到来，不再只单一拉动 HBM，全层级存储（HBM/DRAM/SSD/HDD）同步放量。

03:58-10:50 从训练到推理：AI 如何彻底改变存储消耗逻辑

1. 23-24 年大模型训练期：核心需求仅 HBM，服务器成本集中在 GPU，存储占比极低；

2. 25 年关键拐点：DeepSeek 带动推理浪潮，大模型增加长记忆、多模态能力；

   • 长对话、百万 Token 文本、图文视频多模态，带来存储非线性暴涨；

3. 存储分层逻辑（KV Cache）

   • 热数据（短期交互）：HBM，高带宽高成本；

   • 温数据（数天内）：普通 DRAM；

   • 冷数据（数月存档）：SSD/NAND、低成本 HDD；

4. 推理时代区别于训练：全存储品类同步受益，不再只依赖高端 HBM 单品。

10:50-18:20 存储传统周期规律 & 本轮 AI 周期特殊性1、传统周期底层逻辑

• DRAM/NAND 高度寡头垄断（DRAM 三星 / 美光 / 海力士占 94%；NAND 五巨头占 90%）；

• 扩产周期 1.5-2 年，供需错配带来剧烈价格波动；历史单轮涨跌幅度 50%-90%；22-23 年存储价格暴跌 80%-90% 创历史极值；

• 过去需求天花板由手机、笔电人口上限锁定，周期节奏清晰；

2、本轮 AI 周期两大不同

1. 需求无明确天花板：大模型迭代速度超预期，Coding、多模态等新场景持续打开增量；

2. 技术迭代加速：HBM2E→3E→4 快速迭代，DDR5/6、3D NAND 层数同步升级；

3. 供给端约束：上一轮巨亏后海外大厂扩产保守，国内长鑫、长存缓慢填补份额。

18:20-21:30 DRAM 与 NAND 需求差异、新技术迭代方向

1. DRAM：配套 GPU/CPU 实时计算，断电丢失数据，持续追求高带宽、先进制程，HBM 持续迭代；

2. NAND：断电留存数据，负责冷 / 温数据长期存储；

3. 行业新技术 HBF：用低成本 NAND 替代部分高价 HBM，英伟达联合厂商研发，国内同步布局。

21:30-24:10 国内外存储核心技术壁垒对比

1. DRAM 赛道

   • 海外：先进制程推进至 10nm，深度绑定 EUV 光刻机，HBM 领先国内两代；

   • 国内长鑫：全球份额 7.7% 持续提升，先进制程、高端 HBM 追赶存在设备壁垒；

2. NAND 赛道

   • 海外三星 / 美光：堆叠层数 276-321 层；

   • 长江存储：X 堆叠架构优势，主力 232 层，新品接近 300 层，无 EUV 硬性依赖，追赶难度更低。

24:10-28:40 长协机制平滑周期，行业供需再平衡

1. 海外原厂（美光、三星等）与云厂商签订 3-5 年长协，仅释放 20%-30% 产能锁价；

2. 长协双向利好：原厂锁定稳定高利润，下游规避涨价风险；

3. 影响：大幅缓解过往暴涨暴跌周期，行业波动收窄，AI 长需求支撑中期景气。

28:40-31:30 存储产业链利润分配格局

1. 存储以 IDM 模式为主（三星 / 美光 / 长鑫 / 长存一体化设计制造封测），原厂攫取产业链绝大部分利润；

2. NOR Flash 为分工模式（设计 + 代工 + 封测），代表企业兆易创新、华邦；

3. 中游模组、分销企业：受益涨价行情，但利润弹性弱于存储原厂。

31:30-37:40 普通人投资：板块增量机会 & 个股分化原因

1. 核心增量主线

   • 主线 1：HBM、DDR6、HBF 等存储新技术迭代；

   • 主线 2：国产替代，国内 DRAM/NAND 需求占 34%-37%，本土产能仅 13%-15%，两倍以上扩张空间；

   • 主线 3：存储模组、利基型 NOR 设计公司；

2. 股价分化原因

   • 海外：美股、韩股估值体系天然存在溢价；

     A 股：原厂预期、存储模组、NOR 设计三类公司业绩弹性不同；长鑫上市重塑板块估值逻辑；

   • 资金拥挤度、库存周期、海外存储股价联动带来短期波动。

37:40-44:20 行业核心风险梳理

1. 核心变量风险：AI 大模型资本开支不及预期，云厂商营收、回报不及预期压制存储采购；

2. 供给风险：海外 / 国内大幅扩产，供需宽松打压产品价格；

3. 地缘黑天鹅：存储属于数据战略核心品类，设备、进出口管制存在不确定性；

4. 交易层面风险：板块持仓集中、杠杆资金拥挤，易出现短期大幅回调。

本期制作

嘉宾：王芳 中泰证券研究所联席所长、电子行业首席分析师 

主播：章衡 惟惟惟

制作：余冬

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